fds6675bz 参数 制造商fairchild semiconductor 产品种类mosfet 功率 rohs是 配置single quad drain triple source 晶体管极性p-channel 电阻汲极/源极 rds（导通）0.0108 ohms 正向跨导 gfs（大值/小值） 34 s 汲极/源极击穿电压- 30 v 闸/源击穿电压+/- 25 v 漏极连续电流11 a 功率耗散2.5 w 大工作温度+ 150 c 安装风格smdmt 封装 / 箱体soic-8 narrow 封装reel 下降时间60 小工作温度- 55 c 上升时间7.8 standard pack qty2500 主要以经营电子元件为主,我们拥有手的直接货源,长期备有大量现货，为客户提供优质的服务，我们所做的一切都是希望客户满意！ 本商行专业代理经销系列大小功率二三极管.场效应管.集成电路.smd贴片元件.igbt.电源模块．可控硅．mos管.基准电源．高精密电子元器件．并可为您提供各种电子元器件配套服务. 本产品的品牌是fairchild/仙童，型号是fds6675bz，种类是绝缘栅(mosfet)，沟道类型是mosfetp通道，金属氧化物，导电方式是增强型，用途是nf/音频(低频)，封装外形是smd(so)/表面封装，材料是sit静电感应